2026-04-01 拓墣产业研究院

算力与电力的巅峰对决：SiC/GaN突破AI电力墙并定义高压交通新标准

焦点报告中国半导体

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摘要

2026年功率半导体已由电子组件跃升为重塑全球能源路径的战略标准配备，特别是在AI资料中心跨越「电力墙」瓶颈与电动车800V高压平台普及的趋势下，SiC与GaN技术正跨入全球基建放量期。

一. SiC/GaN从技术前瞻跨越至全球基建绿能与AI生态标准配备
二. 世界先进扩大GaN-on-Si产品线，开拓功率半导体新战场
三. 英诺赛科跻身全球Tier 1，重塑AI电源供应链格局
四. STMicroelectronics采用「SiC奠基+GaN扩展」，加速市场渗透
五. TI整合式GaN架构打造AI时代的电力管理核心
六. ROHM以内部化GaN生产与「印度制造」协作构筑全球电力电子防线
七. Infineon以「SiC深耕、GaN补强」，驱动高效电力革命
八. 拓墣观点

图一　SiC/GaN功率半导体的四大转型模式与核心竞争力
图二　第三代半导体于AIDC的分工明确：SiC固守基建，GaN主攻末端
图三　SiC作为降低资料中心整体营运成本(OpEx)与能源损耗的关键
图四　GaN在电源供应器(PSU)的节能与转换效率指标
图五　全球领先车厂碳化矽(SiC)技术应用指南

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